奈米結構的製作方法(二)

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099144945

專利證號

I 430940

專利獲證名稱

奈米結構的製作方法(二)

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2014/03/21

技術說明

本發明提供一種奈米結構的製作方法，包含一吸附步驟、一金屬層形成步驟、一遮罩圖案形成步驟，及一金屬層結構移除步驟，藉由分子結構的選擇控制及DPN技術，形成具有預設圖案的第二分子層，再利用第二分子層為遮罩，以蝕刻方式讓該第二金屬層形成一具有與該第二分子層圖案相同的金屬接觸層，而可簡單的控制該金屬接觸層的形貌，得到金屬/分子/金屬的立體堆疊微結構。本發明是有關於一種微結構製作方法，特別是指一種結合沾筆式奈米技術(Dip Pen Nanolithography，DPN)的奈米結構製作方法。本發明之功效在於：利用分子自組裝特性及第一型分子的結構設計而可控制於該第一金屬層上得到不同厚度的第一分子層，再利用第二分子層為遮罩，將該第二金屬層轉變形成具有不同微結構的金屬接觸層而製得金屬/分子/金屬的立體堆疊結構。 This invention proposes a nanostructure manufacturing method. Four steps are needed in this process which includes absorption, metal layer formation, shield pattern formation and removal of metal layer structure. By selective control of the molecular structure and Dip-pen Nanolithography (DPN) technology, second molecular layer with pre-design pattern can then be formed and be used for shielding purpose. Etching process is then used to produce a metal layer which contains the same design pattern as the previous formed second molecular layer. Through this design process, the shape and pattern of the metal contact layer can be easily controlled and result in a metal/molecule/metal overlapping layers structure.

備註

本會(收文號1120002387)同意該校111年11月14日北科大產學字第1117900326A號函申請終止維護專利(國立臺北科技大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

連絡電話

02-87720360

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