多波長發光元件之奈米粒結構及其製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094139600

專利證號

I 291247

專利獲證名稱

多波長發光元件之奈米粒結構及其製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2007/12/11

技術說明

一種具多層量子井奈米粒主動層結構之多波長發光元件，係在多層量子井之較低能隙位能井層內成長發光奈米粒，其 發光波長可經由調控奈米粒之元素組成或幾何尺寸而獲得所需之發光波長。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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