一種利用奈米柱狀結構提升發光二極體光輸出效率之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096120916

專利證號

I 340481

專利獲證名稱

一種利用奈米柱狀結構提升發光二極體光輸出效率之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2011/04/11

技術說明

本發明為一種利用光電化學（PEC）氧化技術形成具有奈米柱狀結構（Nano Rod）之發光二極體技術，首先 在發光二極體的表面鍍上一層薄膜金屬層，經熱處理後形成金屬顆粒遮罩，進行蝕刻沒有遮罩保護的部 分，再將金屬遮罩移除以形成奈米柱狀結構。接著將形成奈米柱狀結構的發光二極體進行光電化學氧化， 即通過一定電壓並照射汞燈，故除正型半導體材料外，材料之表面積均可形成一氧化層，最後再鍍上金屬 層，進行導通正型半導體材料以形成具有奈米柱狀結構之發光二極體。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址