FILTERING FILM STRUCTUREFILTERING FILM STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/603,128

專利證號

US 9,040,144 B2

專利獲證名稱

FILTERING FILM STRUCTUREFILTERING FILM STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/05/26

技術說明

本專利提出藉由控制奈米通道中的電雙層疊合情況來阻擋陰陽離子通過奈米通道。當上方容器內為高濃度的氯化鈉溶液通過奈米孔洞通道材料後，量測下方裝滿二次去離子水隨時間的濃度變化。此奈米孔洞為500奈米以下的多孔性材料，利用薄膜沉積導電層及絕緣層後，施加能量於導電層使絕緣層表面產生一電雙層疊合。由於此設計其奈米孔洞大小為10至500奈米，經由計算可使流阻降低1000至10000倍，相對於逆滲透及電透析方法，其在使分子通過奈米孔洞所需之能量能將大幅度下降。經由實驗之量測，在施加能量在處理過的孔洞材料後，對比未處理之孔洞材料，其通過後的氯化鈉溶液濃度將可以下降約七倍。 In view of the foregoing, an objective of the present invention is to provide a filtering film structure that has larger unit filtering capacity and lower power 2 consumption. [0005] To achieve the above objective, the present invention discloses a filtering film structure including a film, a conductive layer and a dielectric layer. The film includes a plurality of holes. The conductive layer is disposed on the inner surface of the holes, and the dielectric layer is disposed on the conductive layer. When applying a voltage to the conductive layer, an electrical charge layer forms on the [

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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