差動式非揮發性記憶體單元及其操作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101101091

專利證號

I 442552

專利獲證名稱

差動式非揮發性記憶體單元及其操作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/06/21

技術說明

由於新製程的演進使氧化層之厚度持續減小，也造成一般儲存於浮動閘極中的載子容易流失，因此本專利提出一相容於邏輯製程差動型可多次寫入非揮發性記憶體，此差動的優點是可以容許些微的漏電，且容易判別微小的電流差異，預期可能較適用於較新製程的嵌入式非揮發性記憶體。利用熱電洞注入完成寫入操作與熱電子注入完成抹除操作，其優點是操作電壓可以降低。當記憶體結構中的其中一邊浮動閘極被寫入後，導致浮動閘極0 (FG0)之電晶體和浮動閘極1 (FG1)之電晶體臨界電壓值的差異，使用感測放大器同時讀取浮動閘極0電晶體和浮動閘極1電晶體的通道電流值，產生一邏輯狀態輸出。 As the evolution of new processes continues to reduce the thickness of the gate oxide layers, the charges stored in the floating gate may be leaked faster. Therefore, this patent proposes a logic-compatible differential MTP non-volatile memory cell, which contains two floating gates in one cell. The advantage of the differential structure is allowing slight leakage of the stored charges and easier to distinguish the small current difference. It is expected to be scalable for the advanced CMOS processes. Since hot-hole injection is used for program and hot-electron injection is applied for erase, the operating voltages can be reduced. When one floating gate is programmed, the threshold voltages of the floating gate 0 (FG0) transistor and the floating gate 1 (FG1) transistor are different. The sensing amplifier reads the channel currents of FG0 and FG1 transistors at the same time to determine a logic output.

備註

本部(收文號1080029338)同意該校108年5月10日興產字第1084300302號函申請終止維護專利

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