一種半導體互聯線及其在積體電路製程之後的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105106060

專利證號

I 596735

專利獲證名稱

一種半導體互聯線及其在積體電路製程之後的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2017/08/21

技術說明

本發明提供一種半導體互聯線(semiconductor interconnection line)，其結構包含半導體基板層，介電(dielectric layer)層，屏障金屬(barrier metal)層，石墨烯層，以及金屬層。又本發明揭露一種半導體互聯線的製造方法，首先係形成介電層於半導體基板層上，接著形成屏障金屬層，再形成a-碳層(a-C)，最後形成金屬層。最後的步驟，係將本發明之半導體互聯線放入高溫爐內進行退火處理。 This invention is to provide a novel type of interconnection lines for integrated circuit. It consists of semiconductor substrate, dielectric layer, barrier metal, graphene layer and metal. This invention details the interconnect fabrication method which start from depositing dielectric layer on semiconductor substrate, followed by barrier metal layer deposition, then amorphous carbon (a-C), and lastly metal layer. After all these deposition, high temperature annealing will be performed for the formation of graphene layer on top of the metal layer.

備註

本會(收文號1120010278)同意該校112年2月17日長庚大字第1120020199號函申請終止維護專利(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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