靜電防護電路及積體電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103116734

專利證號

I 549258

專利獲證名稱

靜電防護電路及積體電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2016/09/11

技術說明

由於神經電生理訊號與誘發肌電圖之量測晶片及電刺激器設計完成後將使用於動物或人體上，因此必須符合嚴格的可靠度規範，以讓使用者用得安心。靜電放電是造成大多數的電子元件或電子系統故障與損壞的主要因素，這種破壞會導致電路形成一種永久性的毀壞。由於一般商用積體電路必須達到兩千伏特人體放電模式之靜電放電耐受度，而醫療用器材甚至要達到更高的靜電放電耐受度，因此，積體電路須搭配適當的靜電放電防護設計，以避免積體電路遭受靜電放電的威脅與破壞。 本發明揭露一種靜電防護電路及具有該靜電防護電路之一積體電路。靜電防護電路與一高頻電路配合，並包括一矽控整流元件及一電感元件。矽控整流元件由一第一P型半導體材料、一第一N型半導體材料、一第二P型半導體材料及一第二N型半導體材料依序連接而形成，並具有一第一端及一第二端，第一端電性耦接第一P型半導體材料，第二端電性耦接第二N型半導體材料。電感元件的一端電性耦接於第一端，其另一端電性耦接於第一N型半導體材料，或電感元件的一端電性耦接於第二端，其另一端電性耦接於第二P型半導體材料。 An ESD protection circuit is cooperated with a high-frequency circuit and includes a silicon-controlled rectifier element and an inductive element. The silicon-controlled rectifier element is formed by the sequential connection of a first P-type semiconductor material, a first N-type semiconductor material, a second P-type semiconductor material and a second N-type semiconductor material. The silicon-controlled rectifier element has a first end and a second end, and the first end is electrically coupled with the first P-type semiconductor material while the second end is electrically coupled with the second N-type semiconductor material. One end of the inductive element is electrically coupled with the first end and the other end thereof is electrically coupled with the first N-type semiconductor material, or one end of the inductive element is electrically coupled with the second end and the other end thereof is electrically coupled with the second P-type semiconductor material.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

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