在室溫下形成導電薄膜之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100126414

專利證號

I 464753

專利獲證名稱

在室溫下形成導電薄膜之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/12/11

技術說明

一種在室溫下形成導電薄膜之方法，其係先將硝酸銀加入含有月桂酸之溶液中，再依序滴入正丁基胺及聯胺稀釋水溶液，以初步得到以月桂酸根做為穩定保護基之銀奈米粒子，接著再以環已烷做為溶劑來將上述銀奈米粒子施加於基板表面上，以形成圖案化之銀奈米粒子膜，最後再將基板浸入高濃度聯胺水溶液中，以將銀奈米粒子膜化學還原成導電銀薄膜，藉此簡便及快速的形成圖案化薄膜或線路，並可增加銀奈米粒子在不耐高溫之低成本可撓式基板上的應用潛力。 A method for forming a conductive film at room temperature is provided and includes steps of: adding AgNO3 into a first solution of dodecanoic acid; dropping n-butylamine and a diluted aqueous solution of hydrazine into the first solution in turn, so as to initially obtain silver nanoparticles stably protected by dodecanoate as a capping ligand; then using cyclohexane as a solvent to apply the silver nanoparticles onto a surface of a substrate to form a patterned film of silver nanoparticles; and finally immersing the substrate into a high concentrated aqueous solution of hydrazine to chemically reduce the patterned film of silver nanoparticles into a conductive silver film. Thus, a patterned film or circuit can be conveniently and rapidly formed, and the silver nanoparticles can be applied to flexible substrates with low material cost and temperature sensitivity.

備註

本部(收文號1061000804)同意該校106年10月20日中產營字第1061401097號函申請終止維護專利

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