晶圓級發光二極體之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100128375

專利證號

I 419374

專利獲證名稱

晶圓級發光二極體之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2013/12/11

技術說明

一種晶圓級發光二極體之製作方法，包括以下步驟：提供一基板，其中基板上具有多個發光二極體晶片；點測該些發光二極體晶片，以將該些發光二極體晶片分類為塗佈區與非塗佈區；黏貼至少一遮擋片於遮罩上，以遮蔽住發光二極體晶片中之非塗佈區；利用遮罩對位於非塗佈區上，並開始噴塗螢光粉末；以及分離遮罩與非塗佈區，使得螢光粉末僅塗佈在發光二極體晶片中之塗佈區上。利用此種製作方法，可克服習知噴塗螢光粉末必須整片晶圓噴塗的限制，並可同時在單一晶圓上製作出不同色溫需求的白光發光二極體。 A method of fabricating wafer level LED includes the following steps: providing a substrate, wherein the substrate has a plurality of LED chips; point-measuring the LED chips to classify the LED chip into a coating region and a non-coating region; adhering at least a shield sheet on the mask to shield the non-coating region in LED chip; using the mask to align in the non-coating region and starting spraying fluorescent powder; and separating the mask from the non-coating region so that the fluorescent powder is merely coated on coating region in the LED chip. By using such the fabricating method , the restriction of conventionally spraying the fluorescent powder on the whole wafer can be overcome, and white light LEDs satisfying different color temperature demands can be fabricated on a single wafer at the same time.

備註

本部(收文號1070081078)同意該校107年11月19日長庚大字第1070110206號函所報終止維護專利。

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