浮橋結構及其製造方法Bridge Structure

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101117652

專利證號

I 451494

專利獲證名稱

浮橋結構及其製造方法Bridge Structure

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/09/01

技術說明

一種浮橋結構製造方法，應用於半導體元件製程中，包含下列步驟：首先，提供半導體基底，於半導體基底之表面上形成一半導體結構層，半導體結構層與半導體基底之間因半導體結構層的晶格尺寸與半導體基底材料的晶格尺寸不同而形成缺陷區域。以及，於半導體結構層上形成光阻遮罩並進行一道非等向性蝕刻製程，去除包含缺陷區域之部分半導體結構層，剩餘之半導體結構層形成浮橋結構，其中浮橋結構分為第一區塊、第二區塊與第三區塊，第一區塊與第三區塊接合於半導體基底之表面上，第二區塊懸浮於半導體基底上方連接第一區塊與第三區塊。 For increasing the response speed of the semiconductor device and reducing the power consumption, the use of a semiconductor material having high carrier mobility is a way to achieve the both functions. The semiconductor material having high carrier mobility includes for example germanium (Ge), alloy semiconductor material or compound semiconductor material. However, in a case that a semiconductor structure layer with a material different from a semiconductor substrate is stacked on the semiconductor substrate, some problems may occur. For example, the lattice size difference between the semiconductor substrate and the overlying semiconductor structure layer with the different material may cause dislocations in the semiconductor device. Due to the dislocations, the performance of the semiconductor device is deteriorated.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

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