導電薄膜上形成具奈米結構pn接面及其方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101102110

專利證號

I 455867

專利獲證名稱

導電薄膜上形成具奈米結構pn接面及其方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/10/11

技術說明

本發明之主要目的係提供一種導電薄膜上形成具奈米結構pn接面及其方法，其以超臨界流體在導電薄膜上成長形成一奈米結構pn接面層，且該奈米結構pn接面層為一光電流傳輸層，以提供一光電流傳輸通道，以達成提升光電轉換傳輸效率之目的。 為了達成上述目的，本發明之導電薄膜上形成具奈米結構pn接面包含： 一導電薄膜層，其具有一預定表面；及 一奈米構造層，其以超臨界流體形成於該導電薄膜層之預定表面上，且形成具奈米結構pn接面； 其中該奈米構造層形成一光電流傳輸層，以提升太陽能轉換傳輸效率。 為了達成上述目的，本發明之導電薄膜上形成具奈米結構pn接面的方法包含步驟： 提供一導電薄膜層； 形成一金屬層於該導電薄膜層上； 利用一超臨界流體將該金屬層在該導電薄膜層上成長形成一奈米構造層。 本發明較佳實施例之該導電薄膜層選自一透明導電氧化薄膜層。 本發明較佳實施例之該透明導電氧化薄膜層係屬一銦錫氧化物薄膜層或一銦鋅氧化物薄膜層。 本發明較佳實施例之該奈米構造層包含一?鋁氧化鋅層、一氧化鋅層及一?磷氧化鋅層。 本發明較佳實施例之該超臨界流體選自二氧化碳超臨界流體。 本發明較佳實施例之該奈米構造層包含數個奈米柱或數個奈米管。 A conductive thin film includes a conductive thin film layer provided with a predetermined surface, and a nano-structure layer. The method of forming a nano-structure pn junction includes: utilizing a supercritical fluid to form the nano-structure layer with a pn junction on the predetermined surface of the conductive thin film layer. The nano-structure layer performs as a photo current transportation layer to enhance conversion efficiency of the solar energy.

備註

本部(收文號1060046158)同意該校106年7月7日中產營字第1061400726號函申請終止維護專利

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