METHOD TO FABRICATE GAN-BASED VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING DEVICES FEATURING SILICON-DIFFUSION DEFINED CURRENT BLOCKING LAYER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/876,817

專利證號

US 9,819,152

專利獲證名稱

METHOD TO FABRICATE GAN-BASED VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING DEVICES FEATURING SILICON-DIFFUSION DEFINED CURRENT BLOCKING LAYER

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2017/11/14

技術說明

一種製造氮化鎵垂直共振腔面射型雷射或氮化鎵共振腔發光二極體的方法。在氮化鎵晶圓上做矽擴散橫向侷限製程，可有效減小光模直徑至單模態且維持元件表面平坦以幫助光學鍍膜品質，可促成雷射的單橫模發光或顯著降低發光二極體的半功率角。現今氮化鎵垂直共振腔面射型雷射的設計可產生單縱模但難以產生單橫模發光或良率極低，本方法量產性高，極具價值。本創作技術可應用之產業別: 半導體雷射，顯示，光通訊，照明。相關應用產品：氮化鎵面射型雷射，氮化鎵共振腔發光二極體，氮化鎵面射型單模雷射。 One method for manufacturing GaN-based single-transverse-mode vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) and low-half-power-angle resonant-cavity light-emitting diode (RCLED). It is an effective means to reduce aperture size for single-transverse-mode operation while maintaining a flat top surface for quality coating. This method can produce single-transverse-mode surface-emitting laser or produce low-half-power-angle resonant-cavity light-emitting diode.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

02-2733-3141#7346

網址