具有漸進式功函數膜層之發光二極體結構Light-emitting diode structure having progressive work function layer

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/321,888

專利證號

US 9,397,256 B2

專利獲證名稱

具有漸進式功函數膜層之發光二極體結構Light-emitting diode structure having progressive work function layer

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2016/07/19

技術說明

傳統與p型氮化鎵接觸之歐姆接觸層通常選用有高公函數如鎳，鉑之金屬材料，然而金屬之高吸收係數，低熱穩定，無法有效防止反射鏡層之金屬擴散至氮化鎵介面等問題都仍有待克服。漸進式功函數結構有著(1)與p型氮化鎵及反射鏡金屬之低接觸電阻、(2)減少光的吸收增加光萃取、(3)可作為防止反射鏡金屬擴散至p型氮化鎵之阻障層。 1.利用漸進式功函數結構作為p型氮化鎵之歐姆接觸層，可有效降低與p型氮化鎵介面之接觸電阻。 2.相較於傳統金屬接觸層之高吸收率，此漸進式功函數結構接觸層可大幅減少光在射入反射鏡時被歐姆接觸層所吸收。 Traditionally, the high work function metals like Ni or Pt are chosen as p-Ohmic contact layer materials to reduce the contact resistance. However, the high absorption coefficient, low thermal stability and the diffusion from the reflection mirror metal to the p-GaN interface are the serious issues needed be overcome. P-type transparent conductive oxides can used as the p-Ohmic contact layer for the p-GaN with (1) low contact resistance, and (2) high transmittance to reduce the absorption of the incident light from the GaN to the mirror layer, (3) can be used as the barrier layer to prevent the diffusion from the reflection metal to p-GaN because of the low diffusion coefficient of the metal in the ceramic structure.

備註

本部(收文號1090071728)同意該校109年11月30日中大研產字第1091401301號函申請終止維護專利(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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