具基座外接電阻之靜電防護金氧半場效電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105128087

專利證號

I 593078

專利獲證名稱

具基座外接電阻之靜電防護金氧半場效電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

健行學校財團法人健行科技大學

獲證日期

2017/07/21

技術說明

本發明提出一種具基座外接電阻之靜電防護金氧半場效電晶體及其製造方法，其運用電阻連接N型金氧半場效電晶體的基座接觸端，以改善短路或置入基座佈局型態的靜電防護能力。利用單一電阻或變阻值電阻可以和電晶體結構的短路或置入基座接觸端點佈局型態互相搭配的特性，本發明展現比一般傳統短路或置入基座接觸端電晶體更佳的靜電防護能力。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術合作處

連絡電話

(03)4581196-3110

網址