發光二極體磊晶片之磊晶品質分析方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096136257

專利證號

I 344223

專利獲證名稱

發光二極體磊晶片之磊晶品質分析方法

專利所屬機關 (申請機關)

南臺學校財團法人南臺科技大學

獲證日期

2011/06/21

技術說明

目前二極體磊晶之生產量，我國已經在世界上佔有一席重要的地位，為了能與美國和日本繼續競爭，就必須要有更快速的生產模式縮短產品研製時程，掌握上市或出貨時機，以擴展產品在國際市場上的競爭力與市場，但除了生產快速之外，其整個製程的製作程序及成本掌控也是非常重要的。本發明係有關於一種發光二極體磊晶片之磊晶品質分析方法，主要係將抽樣之磊晶晶片先進行發光效率及缺陷密度的檢測，而得知該磊晶晶片之磊晶品質，以判斷是否進行晶粒製作的切割動作，如此，便可提前得知產品良率，並節省不必要的製程成本，達到有效控制製作成本用為首先發明應用者。 The present invention relate to ananalyzing method for quality of epitaxy of light emitter diode (LED) epitaxial wafers, which tests and evaluates light efficiency and defect density of the sampling epitaxial wafers first to obtain the quality of epitaxy of the epitaxial wafers for determining whether the chip process shall be carried out. Accordingly, the yield rate of products can be aware in advance by the analyzing method to save unnecessary manufacturing cost so as to control the manufacturing cost effectively.

備註

本部(收文號1040087897)同意該校104年12月10日南科大產學字第1040015833號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展暨產學合作處

連絡電話

06-2531841

網址