薄膜電晶體結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098146364

專利證號

I 443755

專利獲證名稱

薄膜電晶體結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

明新學校財團法人明新科技大學

獲證日期

2014/07/01

技術說明

本發明係揭露一種薄膜電晶體結構及其製造方法，其包含下列步驟：在基板上連續沈積緩衝層、閘極層、絕緣層、通道層及第一光阻層等完整薄膜後，形成第一圖案於第一光阻層上，再沈積導電層於第一光阻層上，去除第一光阻層使源/汲極層之圖案露出，再塗佈第二光阻層覆蓋源/汲極層之圖案及通道層，接著形成第二圖案於第二光阻層上，最後根據第二圖案， 連續蝕刻通道層及絕緣層。 依本發明之薄膜電晶體製造方法， 其可具有一或多個下述優點： (1) 此薄膜電晶體結構及其製造方法使用掀離製程( Lift-Off） 製作源/汲極電極， 可以有效減少蝕刻材料之使用， 並保護通道層不受蝕刻液的破壞。 (2) 此薄膜電晶體結構及其製造方法採用逆向蝕刻( Backwards Etching） 的方式蝕刻其通道層及閘極層，且通道層及閘極層圖形定義相同， 可縮減光罩數進而降低成本。 The invention discloses a thin film transistor structure and a manufacturing method thereof, comprising follow steps: depositing a buffer layer, a gate layer, an insulator layer, a channel layer and a first photo resist layer sequentially on a substrate; forming a first pattern on the first photo resist layer; depositing a source/drain layer on the patterned first photo resist layer then exposing a source/drain pattern 2 by removing the first photo resist layer; depositing a second photo resist layer to cover the source/drain pattern and the channel layer;forming a second pattern on the second photo resist layer; etching the channel layer and the insulator layer sequentially according to the second pattern.

備註

本部(收文號1080024527)同意該校108年4月17日明新(產)字第1080003642號函申請終止維護專利

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