氧化鋅奈米結構之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095110802

專利證號

I 269779

專利獲證名稱

氧化鋅奈米結構之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2007/01/01

技術說明

物理氣相沉積法為一種簡易且低成本的製作方法，已被產業界及學術界廣泛運用在薄膜製作，其特點是可以在短暫的時間內，於材 料表面沉積一層均勻的薄膜或結構，其成分或性質可以透過許多的製程參數加以控制，是一種成熟發展的技術。 氧化鋅是一種常見且已被廣泛運用的寬能隙半導體材料，許多運用皆建立在其特殊的物理及化學性質，例如壓電材料、氣體感 測器等。近來光電產業迅速發展，氧化鋅的光電性質也逐漸的受到重視，例如近來重視的透明導電膜等。此外，隨著奈米科技的迅 速進展，氧化鋅奈米結構也成為一個討論的重點，許多隨之而生的製程方法也一一出現，不過其製作過程絕大多數皆採用化學氣相 沉積。但是缺點包含薄膜或微結構的均勻性無法達到優良的水準，其再現性也一直為人所詬病，有些方法機臺昂貴，且製程中所使 用的材料來源許多均具有強烈毒性，因此在製作成本上相對提高，其安全性也值得憂心。

備註

本部(收文號1030032705)同意該校103年5月7日1034500281號函申請終止維護專利

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