P型氮化鎵奈米線之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098123770

專利證號

I 424955

專利獲證名稱

P型氮化鎵奈米線之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2014/02/01

技術說明

1.一種P型氮化鎵奈米線之製造方法，其包括下列步驟： 提供一N型氮化鎵奈米線，其係形成於一基板上； 佈植鈷離子，其係使該鈷離子佈植於該N型氮化鎵奈米線，並使該N型氮化鎵奈米線轉變為一P型氮化鎵奈米線；以及 退火該P型氮化鎵奈米線。 2.如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該基板係為一矽基板。 3.如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該佈植鈷離子步驟係以67KeV至77KeV及小於10微安培之佈植能量佈植之。 4.如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該退火P型氮化鎵奈米線步驟係在氮氣環境下，以600℃至800℃之溫度進行之。

備註

本部(收文號1060048584)同意該校106年7月13日中大研字第1061430172號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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