利用具有低電阻率與高電阻溫度係數之厚膜材料製作高精準阻值之負溫度係數熱敏電阻製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104118670

專利證號

I 555038

專利獲證名稱

利用具有低電阻率與高電阻溫度係數之厚膜材料製作高精準阻值之負溫度係數熱敏電阻製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2016/10/21

技術說明

相對於傳統積層陶瓷製程中由於元件製作有眾多步驟，再經過如此眾多製程步驟後又要精準控制尺寸大小變異相當困難，由電阻公式R=ρ(L/A)可知元件尺寸變異對整體電阻值會有影響，些微偏差就無法精準，但厚膜製程只需改變厚膜電阻之R層結構變化來達到所需之阻值，並使用雷切修正阻值。目前業界也紛紛提出此類新式製程來製作負溫度係數(NTC)陶瓷晶片型元件，使用厚膜製程方式其目的為提升生產率與取代煩雜的多工製程。本專利提出目的為大幅快速製作元件並提高生產良率改善，同時針對目前傳統製程問題作改善，本製程方式跨出一般傳統積層陶瓷的兩大類先切割後燒結與先燒結後切割的方式並使用雷射切割在整體良率上可有效將±3％內的良率改善達到60％-70％以上，在±1%內的良率改善達到30%以上。 In this patent, we proposed a laser trimming technique to improve the yield of NTC device to 60-70% for +/- 3% tolerance and to 30% for +/- 1% tolerance.

備註

本會(收文號1120059850)同意該校112年9月7日成大產創字第1121102806號函申請終止維護專利(國立成功大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

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