Sensing substrate, manufacturing method thereof, and sensor

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/691,560

專利證號

US 10,976,577

專利獲證名稱

Sensing substrate, manufacturing method thereof, and sensor

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2021/04/13

技術說明

本發明利用氮化物量子井作為分子的偵測基板，並以拉曼光譜(Raman spectroscopy)判定單分子的種類、濃度、位置，分子的訊號藉由偵測基板表面的熱點(hot spots)放大，而氮化物量子井所形成的熱點，具備以下三大優點: 1. 訊號更強 2. 面積更大 3. 訊號穩定度更高 這三大優點讓量測員更容易判定分子的種類、濃度與位置。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址