具有空氣介質層之半導體光電元件及空氣介質層之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100145456

專利證號

I 460885

專利獲證名稱

具有空氣介質層之半導體光電元件及空氣介質層之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/11/11

技術說明

本發明提出新型有效的方法製作出氮化物半導體之薄膜。首先，利用金屬有機化學氣相磊晶(MOCVD)以及分子束磊晶系統(MBE)成長出由氮化物系列與氧化物系列所組成的異質結構，藉由製程可以在異質結構上製作出微結構。將具有微結構之氮化物與氧化物異質結構浸泡於酸性溶液中，可利用濕式蝕刻的方法將氧化物層去除，形成將空氣層介質嵌入微結構氮化物材料的結構。利用空氣介質的低折射特性，可將光侷限在氮化物結構。利用此濕式蝕刻可改善光化學蝕刻造成試片表面以及接觸面的不平整的現象。本發明所提出之新型製程對於開發新穎元件而言，可以直接應用到高功率發光二極體、雷射二極體以及電子元件，在未來的應用上勢必會有不錯的發展與前途。 We propose an effective method to fabricate Nitride-based semiconductor thin film. Firstly, the heterostructure consisted of the nitride-based and oxide-based materials were grown by the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE). We can obtain the microstructure on the heterostructure by the process technologies. The ZnO sacrificial layer within the processed heterostructure sample can be removed by the acid solution to be a nitride-based microstructure embedded the air-gap medium. It can enhance the optical confinement due to the relative low refractive index for the air-gap medium. In addition, we propose the wet etching technique instead of the Photochemical (PEC) etching to improve the interface and surface morphology. The improvement of the process techniques for the nitride-based material structure presented here shall be beneficial to the development of high power LEDs, laser diodes and power electronics.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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