以銅鋅錫(CuZnSn)合金製備太陽能電池的CuxZnSnSy (CZTS)薄膜之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099100741

專利證號

I 402996

專利獲證名稱

以銅鋅錫(CuZnSn)合金製備太陽能電池的CuxZnSnSy (CZTS)薄膜之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄海洋科技大學

獲證日期

2013/07/21

技術說明

銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4)太陽能電池薄膜之各種製備技術中，物理性沉積被廣為使用，有以次序性的分三次分別進行銅、鋅、錫，三層金屬薄膜沉積物者，亦有同時一次使用三個鍍源(銅、鋅、錫)進行金屬薄膜沉積物者，所得的金屬薄膜沉積物再施以硫化製程，以得到銅鋅錫硫(CZTS)太陽能電池薄膜，以上所指金屬薄膜沉積物的製程複雜且難以控制比例，對於後續再施加硫化製程所得到銅鋅錫硫(CZTS)太陽能電池薄膜的品質將難以維護。 本發明係關於一種太陽能電池的CuxZnSnSy (CZTS)薄膜製備方法，該CZTS吸收層薄膜主要以銅、鋅、錫(Cu、Zn、Sn)材料混合，先製備成銅鋅錫(CuZnSn)合金作為初始材料，再將此合金以物理性的鍍膜原理在基板上形成銅鋅錫沉積薄膜，接著對此薄膜進行硫化製程，藉以相對簡易製程便可達到獲得趨近於化學組成比之(Cu2ZnSnS4) CZTS。 The invention relates to a simple manufacture process to obtain near stoichiometric Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films used for solar cells. The preparation of the CZTS thin-film absorption layer is described as following. Firstly, materials of copper, zinc, and tin were mixed to make an alloy of CuZnSn. The CuZnSn alloy was used to form a CuZnSn thin film on substrates through physical deposited methods. Finally, The CuZnSn thin film was transformed into Cu2ZnSnS4 through a sulfurization process.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處 技術移轉中心

連絡電話

07-3617141#2327

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