奈米壓印製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096119831

專利證號

I 335490

專利獲證名稱

奈米壓印製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2011/01/01

技術說明

本發明揭露一種快速奈米壓印製程。本發明目的在提出一種快速奈米壓印製程，至少包括下列 步驟。首先，提供一材料作為奈米壓印所需的基底材料。接著在基底材料表面上塗佈上一層欲 轉印之材料層。接著將具有凸設特徵圖形的平板模仁表面上蒸鍍上一層金屬薄膜。接下來，將 平版模仁置於欲壓印材料表面之上，其中平板模仁上的凸設特徵圖形與預壓印層之表面接觸。 接下來，施加外應力於平面模仁之上，使平板模仁與欲壓印之材料層緊密接觸。然後，移除平 板模仁。

備註

本部(收文號1101100521)同意該校110年3月2日成大產創字第1101100521號函申請終止維護專利(成大)

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