一維奈米結構二氧化鈦陣列之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101137239

專利證號

I 458548

專利獲證名稱

一維奈米結構二氧化鈦陣列之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/11/01

技術說明

本發明之主要目的係在於提供一種一維奈米結構二氧化鈦陣列之製造方法，相較於習知之製造方法，本發明之一維奈米結構二氧化鈦陣列製造方法不需使用模板，也不需使用高溫高壓之水熱反應釜，藉由適當的調整反應參數，即可於溫度為25°C至100°C、常壓之條件下，製備具有一維奈米結構二氧化鈦陣列之基板。其製程簡便，甚或任意可供加熱之反應器皆可使用，更有助於降低其製造成本。本發明係有關於一種一維奈米結構二氧化鈦陣列之製造方法，包括：(A) 提供一基板；(B) 提供一鈦前驅溶液，係包括一酸及一鈦前驅物；以及(C) 將該基板設置於該前驅溶液中，於一大氣壓下進行反應，使該一維奈米結構二氧化鈦陣列形成於該基板之表面。 The present invention relates to a method for manufacturing an one-dimensional nanostructured TiO2 array that includes: (A) providing a substrate; (B) providing a titanium precursor solution comprising an acid and a titanium precursor; and (C) disposing the substrate in the titanium precursor solution and carrying out a reaction under 1 atm, so that the one-dimensional nanostructured TiO2 array is formed on the surface of the substrate.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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