電子元件及其透明導電薄膜之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100100421

專利證號

I 430289

專利獲證名稱

電子元件及其透明導電薄膜之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2014/03/11

技術說明

本發明是有關於一種電子元件及其透明導電薄膜之製作方法，特別是有關於一種利用銣釔鋁石榴石雷射進行退火之電子元件及其透明導電薄膜之製作方法。 依本發明之電子元件及其透明導電薄膜之製作方法，其可具有一或多個下述優點： (1) 此電子元件及其透明導電薄膜之製作方法可藉由使用銣釔鋁石榴石雷射對透明導電薄膜進行退火處理，藉此可大幅降低透明導電薄膜的之電阻值。 (2) 此電子元件及其透明導電薄膜之製作方法可藉由銣釔鋁石榴石雷射替換準分子雷射，藉此可解決透明導電薄膜製作成本過高的問題。 The present invention discloses an electronic device and a method of producing transparent conductive thin film thereof. The method comprising the steps of: providing a substrate; forming a transparent conductive thin film on the substrate; and laser-annealing the transparent conductive thin film by a neodymium-doped yttrium aluminum garnet laser. The inexpensive neodymium-doped yttrium aluminum garnet laser is used in the present invention so as to decrease the producing cost of the transparent conductive thin film.

備註

本部(收文號1090001816)同意該校109年1月3日研發字第1080400547號函申請終止維護專利(彰師大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

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