有機薄膜電晶體及其製造方法ORGANIC THIN FIELD TRANSISTOR AND PROCESSING METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099142182

專利證號

I 423492

專利獲證名稱

有機薄膜電晶體及其製造方法ORGANIC THIN FIELD TRANSISTOR AND PROCESSING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2014/01/11

技術說明

1. 為採用了平面化下接觸式結構之有機薄膜電晶體，與傳統下接觸式結構之元件相比因為能夠提升主動層之連續成膜性以及結晶性而有更好之電性。 2. 利用雙層絕緣層材料之間之高蝕刻選擇比來精準的控制材料蝕刻深度，回填金屬後簡易構成平面化下接觸式結構之有機薄膜電晶體。 3. 雙層絕緣層材料結構，絕緣層材料可以置換成較高介電係數(high-k)之材料，如此可以直接的拉高元件的電流，可能降低元件的開啟電壓，整體提升元件電特性。 1. A OTFT be fabricated with planar bottom-contact structrue, its' electrical performance higher than conventional BC structure OTFTs because of better crystallinity and growth continuity of organic active layer. 2. The etching degree could be controled precisely due to high ethcing selectivity of bi-layer materials. 3. The device electrical performance could be improved by substituting materials of bi-layer insulator with high-k ones.

備註

本部(收文號1080080401)同意該校108年12月17日臺科大研字第1080109058號函所報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

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