含有氮化鎵之單晶基板之製造方法Method for Fabricating Single-Crystalline Substrate Containing Gallium Nitride

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/263,555

專利證號

US 8,048,786 B2

專利獲證名稱

含有氮化鎵之單晶基板之製造方法Method for Fabricating Single-Crystalline Substrate Containing Gallium Nitride

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2011/11/01

技術說明

本發明的目的就是在提供一種單晶氮化鎵基板的製作方法，可簡化製作方法、降低生產成本。其中材質包含二元化合物如氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、三元化合物如氮化鋁鎵(AlxGa1-xN, 0＜x＜1)、氮化銦鎵(InxGa1-x N, 0＜x＜1)、四元化合物如氮化鋁鎵銦(AlxGayIn1-x-yN, 0＜x＜1, 0＜y＜1)，為了方便以下敘述，以氮化鎵材料統稱上述所有的材質。 本發明的再一目的就是在提供一種單晶氮化鎵材料基板的製作方法，該單晶氮化鎵材料基板為低缺陷密度晶體，並且該氮化鎵基元件可晶格匹配於單晶氮化鎵材料基板，因此可以提升元件的特性。 本發明的又一目的就是在提供一種單晶氮化鎵材料基板的製作方法，該單晶氮化鎵材料基板具有優良的散熱效果，可以使得操作在高功率的氮化鎵材料元件具有良好的散熱特性，提升穩定度及壽命。 為達上述與其它目的，本發明提出一種氮化鎵材料與氮化鎵基板的製造方法。 This file discloses a fabrication method of GaN-based material substrate. It includes the following steps shown as below: The first step, make a GaN-based material island layer on a substrate. The second step, etch the substrate by using the GaN-based material island layer as a mask to form a patterned substrate. The third step, load the patterned substrate into a reactor to re-grow GaN-based material until coalesce all of GaN-based material layer, and form a bulk GaN material crystal. Finally, separate the bulk GaN-based material crystal from the pattern substrate to obtain a GaN-based material substrate.

備註

本部(收文號1080048903)同意該校108年7月19日中大研產字第1081400892號函所報終止維護專利。

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