閃鋅礦結構三族氮化物之製造方法及具有閃鋅礦結構三族氮化物之磊晶結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101136739

專利證號

I 456094

專利獲證名稱

閃鋅礦結構三族氮化物之製造方法及具有閃鋅礦結構三族氮化物之磊晶結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/10/11

技術說明

本專利為一種閃鋅礦結構三族氮化物之製造方法利。用電漿輔助分子束磊晶系統，在γ-Ga2O3基板上成長閃鋅礦結構三氮化合物半導體。纖鋅礦結構所引起的內建電場問題，使發光元件的發光效率降低，而閃鋅礦結構三氮半導體能夠避免內建電場問題。閃鋅礦三氮半導體晶結構為不穩定相，在高溫下不易存在。分子束磊晶系統的應用，有助於在低溫下成長閃鋅礦三氮半導體。γ-Ga2O3基板除了能夠穩定其三氮半導體閃鋅礦晶體結構，更可得到高品質的磊晶薄膜。 The technique is to grow epitaxy of Zincblende III-nitride semiconductors on γ-Ga2O3 substrate. The luminous efficiency of wurtzite III-nitride will decrease due to a spontaneous electrostatic field along the c-axis of crystal orientation. Zincblende III-nitride can avoid the spontaneous electrostatic field due to its lattice structure. However, zincblende III-nitride is unstable phase in nature, which could transfer from zincblende into wurtzite during high temperature process. Molecular beam epitaxy is a mentod which can grow zincblende III-nitride at lower temperature. The γ-Ga2O3 substrate is near-lattice match substrate for the growth of zincblende III-nitride epi-layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址