光阻劑及其應用製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096128758

專利證號

I 350944

專利獲證名稱

光阻劑及其應用製程

專利所屬機關 (申請機關)

元智大學

獲證日期

2011/10/21

技術說明

微影製程在當今半導體、電路版與積體電路等製程中相當重要的技術，目的在於將設計出的圖案轉移至基材上。傳統微影製 程技術中，光阻劑需有特殊的處理環境以防變質，同時過程中所產生的有機溶劑與污染物需再加以特別的處理。本技術是應 用光觸媒的技術發展出一種曝光顯影的新製程，以應用於微影製程中。主要是將奈米光觸媒陶瓷粒子，如二氧化鈦粉末，混 合高分子結合劑，如pvb（poly vinyl(butyral)），與溶劑製成複合薄膜後，此複合膜具有優良的機械性質，接著將此高分 子/陶瓷光觸媒複合膜在室溫下有效照光(曝光)，依據光觸媒的效應，複合體中高分子結合劑將會被光觸媒裂解移除，而照光 區薄膜的機械性質將變差，經由清洗(顯影)的程序將照光部分的陶瓷體除去，如此可呈現無照光區所留下之圖形。此製程所 需材料成本低且步驟較傳統製程簡潔，因此可有效降低生產時的成本。此外，所產生的廢棄物是對環境友善的，也可有效改 善傳統微影製程對環境上所造成的衝擊。

備註

聯誠 本部(發文號1090026300)同意貴校109年5月4日元智研字第1090000453號及函109年3月4日元智研字第1090000254號申請終止維護專利。

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