疏水性二氧化矽層及有機薄膜電晶體的製造方法METHODS OF FORMING HYDROPHOBIC SILICON DIOXIDE LAYER AND FORMING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099141265

專利證號

I 474400

專利獲證名稱

疏水性二氧化矽層及有機薄膜電晶體的製造方法METHODS OF FORMING HYDROPHOBIC SILICON DIOXIDE LAYER AND FORMING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2015/02/21

技術說明

本專利利用一個簡易的沉積方法來製造具疏水性的二氧化矽薄膜作為有機薄膜電晶體之閘極絕緣層。此疏水性二氧化矽閘極絕緣層即藉由電漿化學氣相沉積系統並使用四乙氧基矽烷前驅物在一百度以下製造。由於四乙氧基矽烷前驅物在一百度以下會有部分乙氧基矽烷分子未解離而殘留下疏水性的甲烷官能基。然而此疏水性的甲烷官能基會使二氧化矽薄膜的表面呈現疏水的特性，也因此幫助了後續有機主動層(五苯環素)的結晶成長，進而提升有機薄膜電晶體的元件特性。 This patent used a simple deposition method to fabricate hydrophobic SiO2 as an organic thin-film transistor gate insulator. The SiO2 gate insulator, deposited at 80 ℃ by plasma CVD using tetraethoxysilane (TEOS) precursor gas, contained hydrophobic methyl (CH3) functional groups due to incompletely dissociated TEOS molecules. These CH3 functional groups made the SiO2 surface more hydrophobic, and thus facilitated crystalline growth of the pentacene film resulting in enhanced device performance.

備註

本部(收文號1080080401)同意該校108年12月17日臺科大研字第1080109058號函所報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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