半導體發光元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100106427

專利證號

I 449224

專利獲證名稱

半導體發光元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/08/11

技術說明

本發明揭露一種半導體發光元件，其包含:基板，具有第一表面及一第二表面；第一半導體導電層，設置在基板之第一表面上；插入層，設置在第一半導體導電層上；主動層，設置在插入層上；第二半導體導電層，設置在主動層上；第一電極，設置在第二半導體導電層上；及第二電極，設置在基板之第二表面上，且其第二電極之電性與第一電極之電性相反。由於插入層係為具有層寬能隙的材料層，可以同時作為電子阻擋層與電洞注入層，以此插入層取代電子阻障層，不僅能夠使價電帶的能障降低，讓電洞更容易注入主動層內而與電子復合發光，且能阻檔電子溢流，以增加半導體發光元件的發光效率。 We reported a semiconductor light emitting device with a graded Al composition hole injection layer. Under the internal electric field, traditional electron blocking layer would form a barrier to holes at valance band, which decrease the injection efficiency of holes. With the graded Al composition hole injection layer, the barrier of that at valance band would be reduced, and the injection efficiency of holes and carrier recombination rate in active region would be risen. The graded Al composition EBL should be useful for Ⅲ-Nitride compound semiconductor light emitting devices including light emitting diodes, semiconductor lasers, and laser diodes

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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