雙晶式磁通閘結構

專利類型

新型

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102202308

專利證號

M 461056

專利獲證名稱

雙晶式磁通閘結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2013/09/01

技術說明

本計畫提出了具高敏感度之CMOS覆晶式磁通閘晶片與驅動電路之研究。將分別進行CMOS覆晶式磁通閘(fluxgate)磁性感測器的設計製造與其驅動電路之研製，最後目標為整合微磁場感測元件及驅動電路，完成系統化晶片(SoC)的測試分析。研究方法將利用CMOS標準製程，設計製造覆晶式磁通閘磁力計，並與傳統式磁通閘磁力計進行特性比較; 研究磁通閘原理及軟磁材料之磁性特性，探討其激發電流振幅變化對軟磁材料的磁滯曲線影響及感測器輸出之影響; 設計新式回授電路，使之增加直流磁場量測範圍，並探討其雜訊問題。利用CMOS 製程所完成之微小化磁通閘晶片，將使得驅動磁通閘磁力計消耗功率大幅降低，適合應用於可攜式裝置，符合現代高科技的應用趨勢，且由於未來之3D IC之運用廣泛且發展潛力大，本計畫所研究之覆晶式微磁通閘感測器未來可延伸至3軸單晶片或多晶片設計，也與3D IC結構及封裝範疇極為相關。吾人相信此一先導性研究，若能獲致預期成果，未來將在微弱磁場感測技術應用方面，創造更多的貢獻與價值。 This project presents a development scheme of CMOS flip-chip micro fluxgate sensor chips and driving circuit with high sensitivity. Studies will concentrate on design and manufacture of flip-chip fluxgate sensors via CMOS process; comparisons with characteristics of conventional fluxgate sensors; characteristic effects on magnetic hysteresis of the soft-magnetism material due to excitation current modulation; new design of the feedback-controlled driving ICs and its corresponding noise issues. These fluxgate micro-magnetometers made by CMOS technology will significantly lead to low power consumption, which make themselves suitable for handheld applications.

備註

本部(收文號1090069243)同意該校109年11月16日北科大產學字第1097900310號函申請終止維護專利(北科大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

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