半導體元件之閘極結構的製造方法以及半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098145923

專利證號

I 399799

專利獲證名稱

半導體元件之閘極結構的製造方法以及半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2013/06/21

技術說明

本發明「半導體元件及其製造方法」係研擬應用現有低成本對準製程設備與光蝕刻技術，提出一可同時形成具有Γ-閘極、SiN鈍化層及場極板結構之半導體高速元件結構及其製程技術。藉由偏移曝光方法(Shift Exposure Method)可藉由既有之光罩中，獲致有效降低閘極尺寸之功效，且亦能同時形成SiN鈍化層及位於汲-閘極間之場極板結構，藉以大幅降低漏電流、擴增崩潰電壓，以進而增進高頻截止頻率與輸出功率增益等多元特性，可直接應用於無線通訊及微波功率等積體電路產業技術。 The proposed invention, entitled “Semiconductor Light-Emitting Devices”, is to design δ-doped semiconductor epitaxial layers as the p/n type electrode contact layers of the light-emitting device. Due to the advantages of high doping efficiency and the atomic layer thickness by using the δ-doping technique, the light-emitting device with the devised δ-doped electrode contact layers, can exhibit lower contact resistances, increase the current injection, and significantly reduce the light re-absorption phenomenon, thus resulting in the improved light extraction efficiency and optical output power. The present design can be promisingly applied to the high-brightness semiconductor light-emitting device technologies.

備註

本部(收文號1061014292)同意該校106年12月22日逢產字第1060064203號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址