具有熱導基板的平面導通式發光二極體的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097111346

專利證號

I 427821

專利獲證名稱

具有熱導基板的平面導通式發光二極體的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/02/21

技術說明

本發明提供具有熱導基板的平面導通式發光二極體的製作方法，是在磊晶氮化鎵系材料的磊晶基材上，用與氮化鎵系材料相匹配且蝕刻選擇比高的材料構成犧牲層，接著自犧牲層向上形成可以光電效應產生光的氮化鎵系材料的磊晶膜單元，然後將一塊暫時基板貼合在磊晶膜單元，之後，蝕刻掉犧牲層，再將由熱傳導係數高的材料構成的熱導基板貼合在磊晶膜上且將暫時基板移除，即製得具有熱導基板的平面導通式發光二極體，這樣製作出的平面導通式發光二極體，因為可藉著熱導基板的高熱傳導特性，而使元件更穩定地作動、具有更長的實際工作壽命。

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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