微奈米凹陷區之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094122630

專利證號

I289137

專利獲證名稱

微奈米凹陷區之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

遠東科技大學

獲證日期

2007/11/01

技術說明

一種微奈米凹陷區之製造方法，主要係利用微影製程初步製作凹陷區後，再塗佈可硬化材料於凹陷區，藉由控制加溫位置及工作溫度之加溫手段，使上述可硬化材料於凹槽之預設位置硬化而縮小凹陷區之空隙，最後去除可硬化材料之未硬化部份而獲得微奈米凹陷區者。本發明係一種微奈米凹陷區之製造方法，尤指一種將微影製程結合間單的加溫硬化手段而獲得具有更小尺寸之微奈米凹陷區。本發明之主要目的在於利用低成本之製造方法獲得至少一維之空隙小於光束波長之凹陷區。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

創造力中心

連絡電話

06-5979566-7912

網址