薄膜電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103108871

專利證號

I 559555

專利獲證名稱

薄膜電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2016/11/21

技術說明

本發明係關於一種薄膜電晶體及其製造方法。薄膜電晶體包含一基板、一雙通道半導體層、一半導體保護層、一閘極、一閘極介電層、一源極、及一汲極。該雙通道半導體層包含一第一半導體層及一第二半導體層。第一半導體層由一金屬氧化物半導體材料所製成，並形成於基板之上方。第二半導體層由該金屬氧化物半導體材料摻雜一吸氧金屬所製成，並形成於第一半導體層上。半導體保護層形成於第二半導體層上。閘極形成並位於基板之上方。閘極介電層形成於閘極與雙通道半導體層間。源極及汲極鄰近雙通道半導體層，形成而位於基板上方，並與雙通道半導體層電性連結。 The present invention provides a thin film transistor and a manufacturing method for the same. The thin film transistor comprises a substrate, a double channel semiconductor layer, a semiconductor passivation layer, a gate, a gate dielectric layer, a source and a drain. The double channel semiconductor layer comprises a first semiconductor layer and a second semiconductor layer. The first semiconductor layer is made of a metallic oxide semiconductor material and formed above the substrate. The second semiconductor layer is made of the metallic oxide semiconductor material doped by an oxygen gettering metal and formed on the first semiconductor layer. The semiconductor passivation layer is formed on the second semiconductor layer. The gate is formed above the substrate. The gate dielectric layer is formed between the gate and the double channel semiconductor layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

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