薄膜電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094120146

專利證號

I 302032

專利獲證名稱

薄膜電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/10/11

技術說明

一種應用在平面顯示器之多層通道薄膜電晶體結構

備註

本部(收文號1050043321)同意該校105年6月23日中產營字第1051400638號函申請終止維護專利35件(中山)。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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