提高光偵測度之光偵測元件及其形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100144798

專利證號

I 458105

專利獲證名稱

提高光偵測度之光偵測元件及其形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/10/21

技術說明

有機光偵測器已有不少的相關文獻，如早在1994年，A. J. Heeger等人在高分子材料中加入C60之後，發現可以大幅增加元件敏感度。但利用光子增益現象的有機光偵測器並不多見，如在2008年，H. Y. Chen等人於Nature Nanotechnology中發表了一篇關於光子增益(Photomultiplication)現象的論文，此光偵測器確實能偵測到更寬廣的波長範圍，也有更高的靈敏度。而在2010年，本研究室則利用摻雜有機近紅外光染料的簡易方式製作具有非常高光敏感度的光偵測器。另一方面，在2011年，G. Sarasqueta等人則利用有機及無機的阻擋層(blocking layer)降低有機無機混成光感測元件的暗電流，藉以提升元件的偵測度(detectivity)。本案利用加入電荷阻擋層的方式降低有機光增益偵測器的暗電流，在逆向偏壓-4V下，暗電流可從偵測度-43.8降低至-1.82 mA/cm2。同時因為較低的暗電流，有機光增益偵測器的偵測度也可大幅改善。 We have found the incorporation of charge blocking layer could effectively suppress the dark current of organic photomultiple photodetectors. The dark current was reduced from -43.8 mA/cm2 to 1.82 mA/cm2 while the bias voltage was -4V. Due to the reduction of the dark current, the detectivity has been improved substantially.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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