砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

0921179298

專利證號

222675

專利獲證名稱

砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/10/21

技術說明

本發明砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法，係將砷化鎵元件背面金屬化金屬由金改為銅， 由於銅的阻值較低，且散熱與機械強度亦較金優異。因此，以銅作為金屬化金屬之元件，可 改善元件的散熱、機械強度、導電度，更可增進元件的特性及可靠度。並藉由鎢(W)、氮化 鎢(WN)、氮化鈦鴿(TiWN)等薄膜作為擴散阻障層，有效阻擋銅易擴散入砷化鎵基材而改變元 件特性之問題。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址