發明
美國
11/967,651
US 7,861,944 B2
噴流裝置
國立臺灣大學
2011/01/04
本發明係提共一新式非零質量流率之噴流系統,其結合側邊環狀流道之合成噴流構造:其側邊環狀流道的結構,使得中央腔體在吸入行程時,可以大量吸入側邊的流體;而於推出行程時,側邊的流道所產生的渦流可以抵擋住腔體內之流體由側邊流道流出,藉此提供新鮮流體單向由中央噴嘴流出,造成一非零質量噴流(Non-Zero-Net-Mass-Flux Jets),較傳統之零質量流率合成噴流有較高脂流體替換率。 在冷卻應用方面,此非零質量流率之噴流裝置誘導側邊低溫空氣進入腔體內,此低溫空氣經由噴流裝置推出,直接撞擊於高溫元件,達到其散熱效果。因此可運用於高熱量及中之熱點及各式電子零件之散熱以及微型流體之生醫晶片之控溫上。
本部(收文號1090060317)同意該校109年9月28日校研發字第1090083785號函申請終止維護專利(國立臺灣大學)
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