一種低反射之相位及穿透率可調之光罩結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091134396

專利證號

I 227369

專利獲證名稱

一種低反射之相位及穿透率可調之光罩結構

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2005/02/01

技術說明

本發明揭示一種低反射之相位及穿透率可調之光罩結構，其包括一基板、一設置於該基板上 之第一高吸收層、一設置於該高吸收層上之低吸收層及一設置於該低吸收層上之第二高吸收 層。藉由控制該第一與第二高吸收層之厚度可調變一曝光光源之穿透率，以及藉由控制整體 光罩之膜層厚度可控制該曝光光源之相位轉移量。此外，本發明亦可藉由上下二組高吸收 層/低吸收層之反射介面形成一個Fabry-Perot結構來減少光罩表面之反射。

備註

1.發明人:陳學禮 ;吳鴻森 ;李正中 ;柯富祥;鄭旭君 2.公務預算 3.本部(收文號1050075418)同意該院105年9月12日國研授米企院字第1050500932號函申請終止維護專利

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