PHOTODETECTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/294,225

專利證號

US 10,734,539 B2

專利獲證名稱

PHOTODETECTOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2020/08/04

技術說明

本發明一實施例提供一種利用金屬半導體界面的光偵測元件，可應用於紅外光的偵測。在另一實施例，該光偵測元件導入局域表面電漿共振結構，以提升元件的光電響應與偵測波長範圍。該光偵測元件可應用於量測各種入射光強度與量測可見光至中紅外光波段(300nm ~ 20μm)的入射光訊號。 A photodetector is provided with a metal-semiconductor junction for measuring infrared radiation. In one embodiment, the photodetector includes structures to achieve localized surface plasmon resonance at the metal-semiconductor junction stimulated by incident light. The photodetector hence has prompted response and broadband spectra region for photon detection. The photodetector can be used for detecting varied powers of incident light with wavelength from visible to mid-infrared range (300nm ~ 20μm).

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址