熱遮罩及長晶設備/Heat shield and crystal growth equipment

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/163,855

專利證號

US7,291,225B2

專利獲證名稱

熱遮罩及長晶設備/Heat shield and crystal growth equipment

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2007/11/06

技術說明

本熱遮罩設計概念為結合不同型式熱遮罩之優點，進而設計一複合式角度熱遮罩型式，第一段 角度設計重點為針對如何加速冷卻晶棒溫度，且能有效壓縮微缺陷成核溫度區間的寬帶，而第 二段角度的設計重點在於要如何增加軸向固液介面溫度梯度，能藉此增加晶體的拉速以及SiO 之取走速率，以增加晶體之產能並減低污染。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址