槽狀閘極絕緣閘雙極性電晶體的結構及製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

09111375558

專利證號

I 222743

專利獲證名稱

槽狀閘極絕緣閘雙極性電晶體的結構及製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2008/12/17

技術說明

本發明係揭露一種槽狀閘極雙極性電晶體的抗輻射破壞的結構與製作方法，其係增加一P+ plug 於P base 旁以降低槽狀閘極絕緣閘雙極性電晶體的側向電阻值特性，來達成提高元件 的抗輻射能力。該P+ plug 係為使用擴散方法或離子佈值方式進行摻雜所組成。如此，元件 的電洞電流經由社極端釋放出時，其所流過的範圍皆為電阻的P+ plug，此方法將會有效降 低原本由P base 所形成的大電阻區域，一旦電阻降低後，，M+射極與P+ plug 所形成的小 壓降，將會大大的降低此二極體的順偏電壓，因此可以提高寄生閘極流體被重離子觸發的可 能性，達到有效抗輻射特性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

網址