於藍寶石基板上成長非極性面氮化鎵薄膜方法及其發光二極體構造

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099127243

專利證號

I 414087

專利獲證名稱

於藍寶石基板上成長非極性面氮化鎵薄膜方法及其發光二極體構造

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/11/01

技術說明

本專利之技術主要是提出以電漿輔助分子束磊晶系統於m面藍寶石基板上直接沉積m面氮化鎵薄膜，在成長m面氮化鎵薄膜前，未成長緩衝層或nitridation的步驟，而是直接成長m面氮化鎵薄膜，減少磊晶時間，增加效率。並於成長時透過調整氮鎵比，氮化鎵薄膜晶向亦隨之改變。 藍寶石基板相較其他用來成長m面氮化鎵的基板而言具有尺寸較大、價格便宜、熱穩定及化學穩定性高等等優勢，本發明利用分子束磊晶系統成功尋找到於m面藍寶石基板上直接沉積m面氮化鎵薄膜之參數，並藉由x-ray繞射圖譜驗證。 M-GaN has been grown on m-plane sapphire by plasma-assisted molecularmolecular beam epitaxy without any buffer layer growth or nitridation process. The surface morphology and epitaxial quality show a strong correlation on the growth temperature and V/III ratio. Growth temperature up to 715oC makes m-GaN film tend to poor crystal quality; moreover, varying V/III ratio leads to the phase transform from non-polar plane to semi-plane gradually. We have obtained a narrow window for epitaxial growth of m-plane GaN on m-sapphire precluding the need for any pre-nitridation process or buffer layer.

備註

本部(收文號1050043321)同意該校105年6月23日中產營字第1051400638號函申請終止維護專利35件(中山)。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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