在一延伸式閘極離子感測場電晶體上製造氮化鈦感測膜之方法METHOD FOR FABRICATING A TITANIUM NITRIDE SENSING MEMBRANE ON AN EGFET

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/802,907

專利證號

US 6,974,716

專利獲證名稱

在一延伸式閘極離子感測場電晶體上製造氮化鈦感測膜之方法METHOD FOR FABRICATING A TITANIUM NITRIDE SENSING MEMBRANE ON AN EGFET

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2005/12/13

技術說明

本技術提供一種在一延伸式閘極離子感測場效電晶體上製造氮化鈦感測膜之方法.

備註

本部(收文號1050019607)同意該校105年3月21日原產字第1050000809號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

網址