具有自我對齊之兩位元垂直型SONOS記憶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095124896

專利證號

I 299912

專利獲證名稱

具有自我對齊之兩位元垂直型SONOS記憶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/08/11

技術說明

除了在NDL國家奈米實驗室進行實做外，我們也利用學界、商業界廣泛使用之ISE製程模擬軟體 加以驗證。我們同時以現有SOI技術製作，SOI製程的成熟，證明此元件的可行性。

備註

本部(收文號1040050425)同意該校104年7月13日中產營字第1040002835號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址