一種於太陽能電池裝置內形成透明光捕捉結構的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099131562

專利證號

I 447926

專利獲證名稱

一種於太陽能電池裝置內形成透明光捕捉結構的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/08/01

技術說明

本發明揭露一種於太陽能電池裝置內形成透明光捕捉結構的方法，以增進薄膜太陽能電池之光電轉換效率，首先形成一層或多層透明薄膜於透明基板上，並藉由製程方法(如沉積，蝕刻等)形成具有結構的光捕捉層結構，此結構可減少入射光線的反射，同時增加入射光線的路徑，以增加光學方面吸收的效率。接著再形成透明導電氧化物層於該光捕捉層上，此結構因先前形成之結構而具有高低之差異，續形成薄膜太陽能電池單元及薄透明導電氧化層，最後形成金屬電極層於薄透明導電氧化層上，藉以完成該於太陽能電池裝置內形成透明光捕捉結構的方法。 The present invention discloses a method for forming the transparent light-trapping structure inside the thin film solar cell. The light-trapping structure is made by depositing transparent film(s) on transparent substrate. Such a film was treated to create certain roughness. The transparent conducting oxide (TCO) was then deposited on the structure and a conformal structure is formed. The thin film solar cell including second transparent conducting oxide and metal contact was then formed on the structure to complete the process.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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