高比表面積、高結晶度與純銳鈦礦晶型之二氧化鈦的低溫製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096118949

專利證號

I 351385

專利獲證名稱

高比表面積、高結晶度與純銳鈦礦晶型之二氧化鈦的低溫製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2011/11/01

技術說明

本發明提供一種高比表面積、高結晶度與純銳鈦礦晶型之二氧化鈦的低 溫製作方法，包含以下步驟，一、對一混合有一含鈦化合物與一酸性水 溶液之澄清溶液施予第一段加熱，以於該澄清溶液內形成複數二氧化鈦 晶種。二、對該澄清溶液施予第二段加熱以使該等二氧化鈦晶種於該澄 清溶液中晶粒成長並形成一含有銳鈦礦晶型之二氧化鈦晶粒的分散溶 液。三、冷卻該分散溶液。四、過濾並清洗該分散溶液以呈中性。五、 乾燥該分散溶液以形成純銳鈦礦晶型之二氧化鈦。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

連絡電話

02-87720360

網址