具多掃瞄樹合成架構之三維晶片

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100115384

專利證號

I 435094

專利獲證名稱

具多掃瞄樹合成架構之三維晶片

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/04/21

技術說明

傳統單掃瞄鏈﹝single scan chain﹞的測試架構下，有測試資料過大與測試時間太長的缺點。掃瞄鏈長度與測試時間呈現正向關係；多掃瞄鏈﹝multiple scan chain﹞的方法將原本單一掃瞄鏈分解成多掃瞄鏈，使得整體的長度降低，進而大幅減少所需的測試時間。 單一掃瞄樹﹝single scan tree﹞的架構是有效降低測試資料量的方法之一。掃瞄樹利用掃瞄細胞彼此之間測試向量的相容性，將擁有相容測試向量﹝test vector﹞的掃瞄細胞形成相容群，利用廣播﹝broadcast﹞的方式一次將測試向量傳輸給相容群內的掃瞄細胞，藉此減少測試資料量。而一次廣播測試資料到數個掃瞄細胞的特性，也可大幅的降低測試所需的時間。在掃瞄樹的架構中，測試時間與掃瞄樹的高度呈正向相關。 目前二維架構的系統級晶片中，交連線已是延遲與功率消耗的主要因素；因此，減少交連線長度成為非常重要的議題。而三維晶片利用直通矽穿孔﹝TSV﹞技術，將多個晶片垂直堆疊，可以有效降低內部交連線長度、降低功率消耗及提供異質整合﹝heterogeneous integration﹞等功能。 相較於其它測試架構，掃瞄樹雖然有較短的測試時間及較少的測試資料量的優勢，但其卻有繞線過長及掃瞄輸出﹝Scan Out，SO﹞數量過多的缺點。 A 3D IC includes a plurality of circuits, a plurality of TSVs and a plurality of compatible groups. Each of the circuits includes a plurality of scan cells and logic gates. The TSVs are arranged between the circuits and the circuits are arranged in a plurality of different tiers. The compatible group is consisted of the scan cells and each of the compatible group corresponds a tree level. According to the amount of the TSVs, orders of the tiers are adjusted and according to the compatibility of the scan cells the compatible groups are built. Each of the compatible groups corresponds to one of the tree level. Finally, the tree levels are connected to form a multiple scan tree synthesis.

備註

本部(收文號1060011881)同意該校106年2月17日中產營字第1061400161號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址